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IXTQ 18N60P
IXTV 18N60P IXTV 18N60PS
18
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
40
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125 o C
16
14
12
V GS = 10V
8V
7V
6V
35
30
25
V GS = 10V
8V
7V
10
20
8
6
15
6V
4
5V
10
2
0
5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
18
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 18A
I D = 9A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
20
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3
2.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
18
16
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
14
12
10
8
6
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTV22N60PS 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTV230N085TS 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube